Схемотехника УНЧ на транзисторах

Перейти вниз

Схемотехника УНЧ на транзисторах Empty Предварительный УНЧ с низкоомным входом

Сообщение  phone в Пт Мар 23 2012, 19:34

Схемотехника УНЧ на транзисторах 1299187353_unch_predvaritelniy
phone
phone
Специалист
Специалист

Награды : Схемотехника УНЧ на транзисторах 6a390854df0f
Дата регистрации : 2011-02-12
Откуда : Оренбург

Вернуться к началу Перейти вниз

Схемотехника УНЧ на транзисторах Empty Re: Схемотехника УНЧ на транзисторах

Сообщение  RA9SCB в Вт Апр 03 2012, 15:56

Двухтакный УНЧ с низковольтным питанием

Схемотехника УНЧ на транзисторах 88fba262db41


Последний раз редактировалось: RA9SCB (Вт Апр 03 2012, 16:07), всего редактировалось 1 раз(а)
RA9SCB
RA9SCB
Активный участник
Активный участник

Дата регистрации : 2012-02-18

Вернуться к началу Перейти вниз

Схемотехника УНЧ на транзисторах Empty Re: Схемотехника УНЧ на транзисторах

Сообщение  RA9SCB в Вт Апр 03 2012, 16:03

УНЧ на германиевых транзисторах. Классический двухтакный безтрансформаторный каскад.

Схемотехника УНЧ на транзисторах 226b3ee01af5
RA9SCB
RA9SCB
Активный участник
Активный участник

Дата регистрации : 2012-02-18

Вернуться к началу Перейти вниз

Схемотехника УНЧ на транзисторах Empty Re: Схемотехника УНЧ на транзисторах

Сообщение  RA9SCB в Вт Апр 03 2012, 16:08

Схемотехника УНЧ на транзисторах A927d88965b6
RA9SCB
RA9SCB
Активный участник
Активный участник

Дата регистрации : 2012-02-18

Вернуться к началу Перейти вниз

Схемотехника УНЧ на транзисторах Empty Безтрансформаторный УНЧ

Сообщение  phone в Пн Сен 03 2012, 15:30

Схемотехника УНЧ на транзисторах UM_1

Простой бестрансформаторный двухтактный усилитель мощностью 1.5 Вт.
Высокочастотный транзистор П416 применен здесь из соображения как можно больше снизить шумы входного каскада, потому как помимо того что он высокочастотный, он еще и малошумящий. Его можно заменить на МП39 - МП42, с ухудшением шумовых характеристик соответственно или на кремниевые транзисторы КТ361 или КТ3107 с любой буквой. Для предотвращения искажений типа 'ступенька', между базами VT2, VT3, фазоинверсного каскада включен диод VD1 - Д9, благодаря чему на базах транзисторов образуется напряжение смещения. Напряжение в средней точке (минусовой вывод конденсатора С2) будет равно 4,5в. Его устанавливают подбором резисторов R2, R4. Максимально допустимое рабочее напряжение конденсатора С2 может быть 6В.
phone
phone
Специалист
Специалист

Награды : Схемотехника УНЧ на транзисторах 6a390854df0f
Дата регистрации : 2011-02-12
Откуда : Оренбург

Вернуться к началу Перейти вниз

Схемотехника УНЧ на транзисторах Empty Схемотехника УНЧ на транзисторах

Сообщение  dx в Сб Сен 08 2012, 21:54

B.APTEMEHKO (UT5UDJ),
"КВ и УКВ" №9 2000г.


СПОСОБ ОТБРАКОВКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ПО ШУМОВЫМ КАЧЕСТВАМ
Известно, что при использовании "шумящих" транзисторов в узлах приемной аппаратуры не удается получить высокую чувствительность, что, в свою очередь, приводит к уменьшению динамического диапазона (ДД) снизу, поскольку верхнее значение ДД определяется, в основном, схемными решениями и режимом работы радиокомпонентов. Таким образом, использование транзисторов с высоким коэффициентом шума снижает ДД приемника (трансивера), а применение их в гетеродинах приводит и к появлению шумовой модуляции в режиме приема

Шумовая модуляция — это увеличение общего шума приемника при воздействии сильного внеполосного сигнала, что встречается в практике КВ-приема довольно часто, В режиме передачи, благодаря значительным уровням полезных сигналов, шумовые свойства транзисторов не будут так активно влиять на работу конструкции, Однако шумы транзисторов могут проявлять себя в микрофонном УНЧ. что ухудшает сигнал трансивера в режиме передачи. Обычно радиолюбители-конструкторы редко оценивают шумовые свойства транзисторов из-за сложности имеющихся методов оценки. Быстрый и простой способ предварительной отбраковки биполярных транзисторов, учитывающий их "шумовые" качества, успешно используется автором на протяжении ряда лет. Оценку "шумовых" качеств транзисторов предлагается осуществлять с помощью двухкаскадного УНЧ. При этом рекомендуется измерять не собственно шум, а оценивать косвенную реальную "шумовую пригодность" транзисторов.

Конструкция испытательного УНЧ

Схемотехника УНЧ на транзисторах 240900_1

УНЧ выполнен на двух биполярных транзисторах с непосредственной связью. Транзисторы VT1, VT2 включены по схемо с ОЭ. Конденсаторы С1, СЗ и С4 служат для устранения возможности паразитного самовозбуждения УНЧ из-за его большого усиления (Кu=60 дБ) и использования в схеме ВЧ-транзисторов.

Конденсатор на входе усилителя в процессе отбраковки транзисторов по шумам не используется. Настройка УНЧ сводится к установке режимов работы обоих транзисторов по постоянному току. С этой целью подбирают номинал резистора R4 путем перемещения его движка до получения напряжения +4...8 В (оптимально +6 В) на коллекторе транзистора VT2 (при напряжении питания УНЧ +12 В).

Методика оценки шумовых качеств транзисторов
Тестируемый и предварительно проверенный на общую работоспособность транзистор впаиваем на место транзистора VT1 УНЧ. Затем подаем питание +12 В на блок УНЧ и устанавливаем режимы работы транзисторов по постоянному току. Вход УНЧ оставляем разомкнутым, а к выходу УНЧ подключаем милливольтметр переменного тока. Уровень собственных шумов на выходе УНЧ, который в основном зависит от "шумовых" свойств испытуемого транзистора (VT1). должен быть не более 5 мВ.

Если шум на выходе телефонного УНЧ будет более 5 мВ, такой транзистор использовать в каком-либо блоке трансивера не рекомендуется.

По предлагаемой мотодике автором были протестированы многие типы широко используемых транзисторов. В результате были выявлены следующие закономерности:

1. Если какой-либо транзистор выпускается и в металлическом, и в пластмассовом корпусе (например. КТ368, КТ3102 и др.), то малошумящим будет транзистор только в металлическом корпусе. Транзисторы в пластмассовых корпусах применять в трансиверах не следует (например, транзистор КТ3102 в пластмассовом корпусе создает шум на выходе УНЧ до 20...50 милливольт. что недопустимо при создании высококачественной аппаратуры). Как показал анализ результатов тестирования, очень малошумящими являются транзисторы КТ301, КТ306, КТ312, КТ3102 в металлическом корпусе (лучшие из них — первые два типа в позолоченных корпусах выпуска до 1985 г.).

2. Если транзистор выпускается исключительно в пластмассовом корпусе (например, КТ315 и др.). такие транзисторы вполне можно использовать при конструировании связной аппаратуры высокого класса, предварительно протестировав их описанным выше способом. Обычно выполняют подобную проверку всех транзисторов, входящих в состав блоков УРЧ, УПЧ, УНЧ и гетеродинов трансивера. Если смесители трансивера выполнены на транзисторах, подобная проверка для них также необходима.

Заметим, что собственно напряжение шумов на выходе УНЧ зависит и от коэффициента усиления транзистора VT1 (чем он больше, тем больше и напряжение шума на выходе).

Исходя из опыта конструирования приемо-передающей аппаратуры, можно сделать вывод, что транзисторы со сверхвысоким коэффициентом усиления (КТ3102 и др.) в ВЧ-каскадах трансиверов применять нежелательно.
dx
dx
Модератор
Модератор

Дата регистрации : 2008-09-21
Откуда : Оренбург

Вернуться к началу Перейти вниз

Схемотехника УНЧ на транзисторах Empty Re: Схемотехника УНЧ на транзисторах

Сообщение  Спонсируемый контент


Спонсируемый контент


Вернуться к началу Перейти вниз

Вернуться к началу


 
Права доступа к этому форуму:
Вы не можете отвечать на сообщения